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电子元器件详细资料 » IC[21693] » IXFN82N60Q3
型号:IXFN82N60Q3类别:FET制造商:IXYS
封装:SOT-227-4,miniBLOC描述:MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

详细参数

类别FET
描述MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
系列HiPerFET™
制造商IXYS
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)600V
电流_连续漏极(Id)0a025000C66A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C75 毫欧 @ 41A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2226.5V @ 8mA
闸电荷(Qg)0a0Vgs275nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds13500pF @ 25V
功率_最大960W
安装类型底座安装
封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装SOT-227B
包装管件

供应商

江苏芯钻时代电子科技有限公司陈先生18913062888
苏州银邦电子科技有限公司19951158678086-0512-57718939
深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
安徽纽本科技有限公司薛女士086-400-15695632345
上海传泽电子科技有限公司陈13381567868
上海统盈电子科技有限公司易13311626995
昆山隆诚翔电子有限公司曾小姐0512-82613006
上海如美电子科技有限公司杨全兴086-021-51097965
苏州银邦电子科技有限公司19951158678086-0512-57718939
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